ЭЛЕКТР МАЙДОНИДА ТУННЕЛЬ ДИОДИДА ҲОСИЛ БЎЛАДИГАН ОРТИҚЧА ТОКНИНГ ВОЛЬТ-АМПЕР ХАРАКТЕРИСТИКАСИГА ТАЪСИРИ

Authors

  • Мунира Комилжон қизи Ўктамова Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти
  • Мухаммаджон Гуломкодирович Дадамирзаев Наманган муҳандислик - қурилиш институти

Keywords:

Чайновет модели, Тсу-Эсаки модели, барернинг шаффофлик коэффициенти, ортиқча ток, Франц-Кельдеш эффекти.

Abstract

Ушбу ишда туннель диодида хосил бўладиган ортиқча ток Чайновет модели асосида тахлил қилиб чиқилди. Туннель диодидаги ортиқча токнинг ўзгариши бўйича Франц-Кельдеш модели асосида электр майдоннинг турли қийматларида туннел диодининг волть-ампер характеристикаси олинди.
Тсу–Эсаки модельи асосида диффузион ток таъсирини ҳам ўрганилди.

References

A.G.Chynoweth, W.L.Feldman and R.A.Logan,Phys. Rev. 121,684 (1961).

N. Moulin, Mohamed Amara, F. Mandorlo, M. Lemiti. Tunnel junction I ( V ) characteristics: Review and a new model for p-n homojunctions. Journal of Applied“INTERNATIONAL СONFERENCE ON LEARNING AND TEACHING” 2022/8717Physics, American Institute of Physics, 2019, 126 (3), pp.033105. ff10.1063/1.5104314ff. ffhal-03035269ff

W. Abd El-Basit, Z.I.M. Awad, S.A. Kamh, F.A.S. Soliman Electronic Research Lab., Physics Dept., Faculty of Women for Arts, Science, and Education, Ain-shams University, Cairo, Egypt0 Nuclear Materials Authority, P. O. Box 530, Maadi, 11728, Cairo, Egypt Temperature dependence of backward tunnel diode oscillator circuit.

Jaroslav Karlovsky. Simple Method for Calculating the Tunneling Current of an Esaki Diode. Popov Research Institute of Radio Communications, Praha, Czechoslovakia (Received January 3, 1962).

Yury Turkulets and Ilan Shalish. Franz-Keldysh effect in semiconductor built-in fields. 22 April 2018

T.A.De Massa and D.P.Knott, Solid-St. Electron. 13,131(1970).

Tyler A. Growden, Evan M. Cornuelle, David F. Storm, Weidong Zhang, Elliott R.

Brown, Logan M. Whitaker, Jeffrey W. Daulton, Richard Molnar, David J. Meyerand Paul R. Berger.930 kA/cm2 peak tunneling current density in GaN/AlN resonant tunneling diodes grown on MOCVD GaN-on-sapphire template. Cite as: Appl. Phys.Lett. 114, 203503 (2019); doi:10.1063/1.5095056.

Downloads

Published

2022-05-30

How to Cite

Ўктамова, М. К. қ., & Дадамирзаев, М. Г. (2022). ЭЛЕКТР МАЙДОНИДА ТУННЕЛЬ ДИОДИДА ҲОСИЛ БЎЛАДИГАН ОРТИҚЧА ТОКНИНГ ВОЛЬТ-АМПЕР ХАРАКТЕРИСТИКАСИГА ТАЪСИРИ. INTERNATIONAL СONFERENCE ON LEARNING AND TEACHING, 1(8), 714–717. Retrieved from https://researchedu.org/index.php/iclt/article/view/2302

Issue

Vol. 1 No. 8 (2022): INTERNATIONAL СONFERENCE ON LEARNING AND TEACHING 2022/8

Section

Articles

License

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License.