DIODNING EFFEKTIV MAGNITOQARSHILIGI VA VOLT-AMPER XARAKTERISTIKASINI OʻRGANISH
Keywords:
Xoll kuchlanishi, baza qarshilik, sirqish qarshilik, magnitoqarshilikAbstract
Ushbu ishimizda magnitoqarshilik va p-n oʻtishli diodning magnitoqarshiliklarini solishtish orqali magnit maydoni goʻyoki effektiv baza qarshiligini oshirishiga sabab boʻlishini koʻrish mumkin. Baza qarshiligi mavjud boʻlmasa magnit maydondagi tokli p-n oʻtishli diodning potensial toʻsig‘ini effektiv balandligini boshqarish orqali volt-amper xarakteristikalarini oʻzgarishini koʻrishimiz mumkin. Bundan tashqari xajmiy soha kengligini oʻzgarishini izohlangan. Potensial toʻsig‘ining effektiv balandligini tokga, magnit maydonga bog‘liq xolda oʻzgarishi oʻrganilgan.
References
В.И. Стафеев, Э.И.Каракушан “Магнитодиоды ”, Наука, 1975г
Dezheng Yang , Fangcong Wang va boshqalar, “A Large Magnetoresistance Effect in p–n Junction Devices by the Space-Charge Effect”, Adv. Funct. Mater. 2013, 23, 2918–2923
G Gulyamov, A Gulyamov, B Shahobiddinov, G Majidova “Relation of quasi–level fermi of hot electrons and holes with the current–voltage characteristics of the p-n junction. Scientific Bulletin of Namangan State University 2 (4), 8-15
N. A. Porter , C. H. Marrows , J. Appl. Phys. 2011 , 109 , 07c703 .
C. Wan , X. Zhang , X. Gao , J. Wang , X. Tan , Nature 2011 , 477 , 304 .
L. H. Wu , X. Zhang , J. Vanacken , N. Schildermans , C. H. Wan , V. V.Moshchalkov , Appl. Phys. Lett. 2011 , 98 , 112113 .
J. J. H. M. Schoonus , P. P. J. Haazen , H. J. M. Swagten , B. Koopmans , J. Phys.D: Appl. Phys. 2009 , 42 , 185011
S. A. Wolf , D. D. Awschalom , R. A. Buhrman , J. M. Daughton , S. von Molnar, M. L. Roukes , A. Y. Chtchelkanova , D. M. Treger , Science 2001 , 294 , 1488
Downloads
Published
How to Cite
Issue
Section
License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License.
