КРЕМНИЙ АСОСЛИ P-N ЎТИШ ДИОДЛАРИ КВАЗИ ФЕРМИ САТҲИГА ЁРУҒЛИК ВА ДЕФОРМАЦИЯ ТАЪСИРИ
Keywords:
ЭЮК – электир юрутувчи куч, ВАХ - вольт – ампер характеристикаси, квазихимпотенциал.Abstract
Бу ишда p-n ўтишли диодлар характеристикасига ёруғлик ва деформация таъсири ўрганилган Ферми квазисатҳларининг ёруғлик ва деформация таъсирида ўзгаришлари билан p-n ўтишли диоднинг вольтампер характеристикасини боғлиқлиги кўриб чиқилган.
References
G. Gulyamov ,G.N.Majidova ,B.B.Shahobiddinov, F.R. Muxitdinova Changes in fermi quasi levels in silicon pn transitions under exposure to light and deformation and their influence on volt-ampere characteristics of diodes. Scientific Bulletin of Namangan State University 2 (8), 10-19
Г. Гулямов, А.Г. Гулямов, Г.Н. Мажидова. Влияние деформации на фототоки в p-n-переходах // «Альтернативная энергетика и экология».– Россия, г.Саров, 2016.-№15-16. C. 24–30. (01.00.00, №9)
Downloads
Published
How to Cite
Issue
Section
License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License.