КРЕМНИЙ АСОСЛИ P-N ЎТИШ ДИОДЛАРИ КВАЗИ ФЕРМИ САТҲИГА ЁРУҒЛИК ВА ДЕФОРМАЦИЯ ТАЪСИРИ

Authors

  • Иқболжон Иброхим ўғли Номозов Наманган муҳандислик-қурилиш институти, 160103, Наманган, Ўзбекистан
  • Баҳодир Бахтиёр ўғли Шахобиддинов Наманган муҳандислик-қурилиш институти, 160103, Наманган, Ўзбекистан

Keywords:

ЭЮК – электир юрутувчи куч, ВАХ - вольт – ампер характеристикаси, квазихимпотенциал.

Abstract

Бу ишда p-n ўтишли диодлар характеристикасига ёруғлик ва деформация таъсири ўрганилган Ферми квазисатҳларининг ёруғлик ва деформация таъсирида ўзгаришлари билан p-n ўтишли диоднинг вольтампер характеристикасини боғлиқлиги кўриб чиқилган.

References

G. Gulyamov ,G.N.Majidova ,B.B.Shahobiddinov, F.R. Muxitdinova Changes in fermi quasi levels in silicon pn transitions under exposure to light and deformation and their influence on volt-ampere characteristics of diodes. Scientific Bulletin of Namangan State University 2 (8), 10-19

Г. Гулямов, А.Г. Гулямов, Г.Н. Мажидова. Влияние деформации на фототоки в p-n-переходах // «Альтернативная энергетика и экология».– Россия, г.Саров, 2016.-№15-16. C. 24–30. (01.00.00, №9)

Downloads

Published

2022-05-30

How to Cite

Номозов, И. И. ў., & Шахобиддинов , Б. Б. ў. (2022). КРЕМНИЙ АСОСЛИ P-N ЎТИШ ДИОДЛАРИ КВАЗИ ФЕРМИ САТҲИГА ЁРУҒЛИК ВА ДЕФОРМАЦИЯ ТАЪСИРИ. INTERNATIONAL СONFERENCE ON LEARNING AND TEACHING, 1(8), 95–98. Retrieved from https://researchedu.org/index.php/iclt/article/view/2084