СРАВНЕНИЕ ДИФФУЗИОННЫХ ЕМКОСТЕЙ ТРЕХМЕРНЫХ 3D И ДВУМЕРНЫХ 2D p-n—ПЕРЕХОДОВ

Мамура Одилжоновна Косимова; Осимхон Обиддин ўғли Сайфиддинов

Authors

Мамура Одилжоновна Косимова Наманганский инженерно-строительный институт докторант
Осимхон Обиддин ўғли Сайфиддинов Наманганский инженерно-строительный институт Студент

Keywords:

p-n переход, диффузионная емкость, однослойной SL MoS2, двумерного 2D диода, трехмерного 3D диода.

Abstract

В данном исследовании теоретически показано, что диффузионная емкость трехмерного (3D) диода с p-n переходом больше, чем у двумерного диода (2D).

References

M. Buscema, J.O.Island, D.J. Groenendijk, S. I. Blanter, G.A. Steele, H.S.J. van der Zant, and A. Castellanos-Gomez, “Photocurrent generation with two-dimensional van der Waals semiconductors”. Chemical Society Reviews, 44(11), 3691–3718. (2015).

https://doi.org/10.1039/c5cs00106d

M. Buscema, D.J. Groenendijk, G.A. Steele, H.S.J. van der Zant and A. Castellanos- Gomez, “Photovoltaic effect in few-layer black phosphorus PN junctions defined by local electrostatic gating. Nature Communications” 5(1). (2014).

https://doi.org/10.1038/ncomms5651“INTERNATIONAL СONFERENCE ON LEARNING AND TEACHING” 2022/894

A. Pospischil, M.Furchi, T.Mueller, “Solar-energy conversion and light emission in an atomic monolayer p–n diode”. Nature Nanotech 9,257–261 (2014).https://doi.org/10.1038/nnano.2014.14

B.W.H., Baugher, H.O.H. Churchill, Y. Yang and P. Jarillo-Herrero, “Optoelectronic devices based on electrically tunable p–n diodes in a monolayer dichalcogenide. Nature Nanotechnology”, 9(4), 262–267. (2014).https://doi.org/10.1038/nnano.2014.25

G. Gulyamov, M.G. Dadamirzayev, M.O. Kosimova “Influence of deformation and light on the differential resistance and diffusion capacity of a p-n junction in a strong electromagnetic field”. Scientific Bulletin of Namangan State University (2021).

https://uzjournals.edu.uz/namdu/vol6/iss6/1

F. A. Chaves, P.C. Feijoo Guerro, and D. Jiménez, “The 2D PN Junction Driven Out-of-Equilibrium”. Nanoscale Advances. (2020).

https://doi.org/10.1039/D0NA00267D